1031 Q425145
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Deseja-se ter a máxima potência na carga sem distorção, de forma que o ponto de operação mais adequado que pode ser escolhido na curva característica do transistor é o

1032 Q425143
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sobre o circuito, é correto afirmar que, em condições normais de polarização,

1033 Q425141
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A tensão no ponto 1, em V, encontra-se na faixa:

1034 Q425139
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

O valor de RB, em Ù, encontra-se na faixa:

1035 Q425137
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

1036 Q425135
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

1037 Q425133
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Em um diodo Zener, um dos mecanismos que ocorrem para que se obtenha a tensão reversa é por meio de colisões de um portador minoritário, gerando energia para quebrar ligações covalentes. Esse mecanismo recebe a denominação de

1038 Q425131
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Os símbolos do transistor MOSFET do tipo intensificação(enhancement) canal n e canal p são, respectivamente,

1039 Q425129
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considerando um material condutor (metal) e que ¦Ì seja a mobilidade desse material e ¦Ñ sua densidade de cargas, sua condutividade (¦Ò) ¨¦ calculada por:

1040 Q425127
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A lei da continuidade, utilizada para representar o fluxo de cargas em materiais semicondutores, estabelece o princípio de que