1021 Q425163
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

1022 Q425161
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Caso o indutor seja substituído por um capacitor de valor 5 μF, o valor da reatância capacitiva do circuito XC/π, em Ω, está na faixa:

1023 Q425159
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Em relação aos diodos D1 e Dz, é correto afirmar que

1024 Q425157
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sobre o dispositivo T, é correto afirmar que ele

1025 Q425156
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

1026 Q425154
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

1027 Q425152
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sabendo-se que o valor eficaz da tensão Vi é Vef, o valor da tensão Vo é:

1028 Q425150
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Deseja-se implementar um circuito dobrador de tensão, que recebe como tensão de entrada um sinal senoidal, e fornece como saída um sinal retificado e filtrado, com valor igual ao dobro do valor de pico do sinal senoidal. Um circuito que poderia ser implementado para atender ao especificado é:

1029 Q425148
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

1030 Q425147
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)