Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa po... Ver mais

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de porta... Ver mais

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. A tensão de limiar do MOSFET ( threshold voltage) é a tensão porta-substrato necessária para colocar a região de canal em inversão forte.

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.

A figura acima mostra um gráfico com as assíntotas de um diagrama de Bode para um circuito RC de primeira ordem, constituído por um único resistor R e um único capacitor C. Com base nas informações da figura e nas características desse tipo de circuito, julgue os itens a seguir.

A função de transferência, H(s), desse circuito é expressa por

A figura acima mostra um gráfico com as assíntotas de um diagrama de Bode para um circuito RC de primeira ordem, constituído por um único resistor R e um único capacitor C. Com base nas informações da figura e nas características desse tipo de circuito, julgue os itens a seguir.

A largura de banda desse circuito é igual a 2f0.

Falhas no semáforo são consequências de falhas na alimentação elétrica ou de falha interna do próprio semáforo.

Considerando que uma bancada de instrumentos para testes de componentes possui equipamentos como multímetro, osciloscópio, fonte de tensão e gerador de sinais, julgue os itens de 71 a 75.

Considere que o circuito em paralelo apresentado na figura a seguir corresponde à representação da medição de tensão em um dos resistores. Nesse caso, a medição indicará uma tensão de 4,5 V, com alimentação de 9 V.

Considerando que uma bancada de instrumentos para testes de componentes possui equipamentos como multímetro, osciloscópio, fonte de tensão e gerador de sinais, julgue os itens de 71 a 75.

É correto afirmar que o CI inserido no protoboard mostrado na figura abaixo está em posição de curto-circuito.