Questão Q794059
2008 Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Prova: Concurso Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) - Tecnologista da Carreira de Desenvolvimento Tecnológico Classe: Tecnologista Pleno 1 Padrão I (Engenharia Elétrica (TS11)) - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) do ano 2008 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cad...

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.

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