701 Q418515
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

O diodo semicondutor de junção pn é um dispositivo eletrônico utilizado em diversas aplicações eletrônicas. A respeito desse dispositivo, julgue os itens subseqüentes.

Não há limite para a tensão de polarização reversa à qual um diodo real possa estar submetido sem que o mesmo venha a conduzir ou até a ser danificado.

702 Q418514
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

O diodo semicondutor de junção pn é um dispositivo eletrônico utilizado em diversas aplicações eletrônicas. A respeito desse dispositivo, julgue os itens subseqüentes.

Se o terminal de ânodo está a um potencial elétrico maior do que o de cátodo, o diodo está diretamente polarizado.

703 Q418513
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

O diodo semicondutor de junção pn é um dispositivo eletrônico utilizado em diversas aplicações eletrônicas. A respeito desse dispositivo, julgue os itens subseqüentes.

Em uma aplicação de retificação, espera-se que o diodo permita a passagem de corrente convencional no sentido do terminal de ânodo para o terminal de cátodo e não permita corrente convencional em sentido contrário.

704 Q418512
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

O diodo semicondutor de junção pn é um dispositivo eletrônico utilizado em diversas aplicações eletrônicas. A respeito desse dispositivo, julgue os itens subseqüentes.

Em contato com a região p do diodo, tem-se o terminal de ânodo e, em contato com a região n, tem-se o terminal de cátodo.

705 Q418511
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A fabricação de dispositivos e circuitos integrados emprega uma variedade de procedimentos de transformação de superfícies, entre os quais aqueles destinados à agregação (deposição) de materiais na superfície de um substrato. Também são empregados procedimentos de remoção seletiva de camadas de materiais. A conjugação de procedimentos de deposição e de remoção seletiva de camadas viabiliza a definição da estrutura dos dispositivos e das conexões entre eles, constituindo circuitos integrados. Com relação a esse assunto, julgue os seguintes itens.

A redução progressiva das dimensões dos dispositivos nos circuitos integrados da atualidade tem levado a um incremento no uso de procedimentos de deposição por CVD, em...

706 Q418510
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.

A microscopia eletrônica de varredura por tunelamento (STM) é um procedimento não-destrutivo de análise de superfícies, cujas características de resolução espacial e sensib...

707 Q418509
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.

A combinação de procedimentos elétricos e ópticos de caracterização permite a identificação de falhas em circuitos integrados de alta densidade, acelerando o processo de ca...

708 Q418508
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.

A opção pelo uso de técnicas de caracterização não-invasivas deve-se também a aspectos econômicos, na medida em que as amostras utilizadas na análise poderiam, em princípio...

709 Q418507
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.

O emprego da microscopia de força atômica na caracterização elétrica de dispositivos em circuitos integrados de alta densidade deve possibilitar uma avaliação precisa e não...

710 Q418506
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A caracterização e a análise de propriedades elétricas e ópticas de materiais e dispositivos (eletrônicos e eletrópticos) é atividade de interesse fundamental no desenvolvimento das tecnologias de informação. Quanto a esse tema, julgue os itens que se seguem.

Medidas de capacitância versus tensão em estruturas MIS permitem avaliar a presença de defeitos no dielétrico e na interface dielétrico-semicondutor.