531 Q1099886
Raciocínio Lógico Equivalência Lógica e Negação de Proposições Negação - Leis de Morgan (Negativa de uma Proposição Composta) Fundamentos de Lógica + 3
Ano: 2025
Banca: Fundação de Amparo e Desenvolvimento da Pesquisa (FADESP)

Considere as seguintes afirmativas em álgebra de Boole:



I. É Teorema de De Morgan ...

532 Q1099885
Raciocínio Lógico Fundamentos de Lógica
Ano: 2025
Banca: Fundação de Amparo e Desenvolvimento da Pesquisa (FADESP)
O mapa de Karnaugh, abaixo, preenchido a partir de uma tabela da verdade específica, fornece a expressão booleana simplificada

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533 Q1099884
Eletrônica Automação e Controle em Eletrônica
Ano: 2025
Banca: Fundação de Amparo e Desenvolvimento da Pesquisa (FADESP)
Na teoria de semicondutores, em um material do tipo n, o elétron e a lacuna são chamados, respectivamente, de
534 Q1099883
Engenharia Elétrica Circuitos Elétricos na Engenharia Elétrica Circuitos CC
Ano: 2025
Banca: Fundação de Amparo e Desenvolvimento da Pesquisa (FADESP)
Um diodo ideal age como uma chave que
535 Q1099882
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica Diodo na Engenharia Eletrônica
Ano: 2025
Banca: Fundação de Amparo e Desenvolvimento da Pesquisa (FADESP)
Analisando a curva de um dispositivo real comercialmente disponível, na figura da curva característica do diodo de silício abaixo, considere as seguintes afirmativas:


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536 Q1099881
Eletrônica Análise de Circuitos Eletrônica Analógica Transistores + 1
Ano: 2025
Banca: Fundação de Amparo e Desenvolvimento da Pesquisa (FADESP)
Na figura abaixo, os valores da corrente de saturação, em mA, e da tensão de corte, em V, são, respectivamente, de

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537 Q1099880
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica Transistor
Ano: 2025
Banca: Fundação de Amparo e Desenvolvimento da Pesquisa (FADESP)
Considere um transistor ideal com ganho de corrente igual a 200 operando na região ativa na figura abaixo.

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538 Q1099879
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica Transistor
Ano: 2025
Banca: Fundação de Amparo e Desenvolvimento da Pesquisa (FADESP)
Considere as seguintes afirmativas para um transistor de junção bipolar:

I. O alfa cc de um transistor é definido como a corrente cc do coletor dividida pela corrente cc da base.
II. A polarização da base é usada quando se deseja que o transistor funcione como chave.
III. Em um transistor, a camada de depleção do diodo coletor é mais estreita que a camada de depleção do diodo emissor.
IV. O ponto de interseção superior da reta de carga é chamado saturação e o ponto de interseção inferior é chamado corte.

São verdadeiras as afirmativas
539 Q1099878
Eletrônica Análise de Circuitos Eletrônica Analógica Transistores + 1
Ano: 2025
Banca: Fundação de Amparo e Desenvolvimento da Pesquisa (FADESP)
Analisando as curvas características de um transistor de junção bipolar na configuração emissor comum, para diferentes correntes de base, na figura abaixo, considere as seguintes afirmativas: 

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540 Q1099877
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica
Ano: 2025
Banca: Fundação de Amparo e Desenvolvimento da Pesquisa (FADESP)
Um circuito com Amplificador Operacional, na configuração de seguidor de tensão, tem largura de banda máxima e ganho