Questão Q418534
2004 Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) Ministério da Ciência e Tecnologia (MCT)
Engenharia Elétrica Eletrônica Analógica
Prova: Concurso Ministério da Ciência e Tecnologia (MCT) - Tecnologista Júnior (Código E17) - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) do ano 2004 • Ministério da Ciência e Tecnologia (MCT)

Acerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos...

Acerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos transistores de efeito de campo (FET), julgue os itens seguintes.

O baixo consumo de corrente na porta, principal vantagem dos FET, é uma característica que se nota especialmente quando o sinal conectado à porta é de alta freqüência.

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