591601 Q408269
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Seja um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com contatos de tamanho unitário em um processo de 0,6 μm. Considere as características do transistor: capacitância de junção = 15 fF/μm2; coeficiente de gradação de junção = 0,5; distribuição periférica de capacitância = 5 fF/μm; coeficiente de gradação periférica de junção = 0,5 e potencial elétrico intrínseco à temperatura ambiente = 1 V. Assuma, ainda, que o substrato esteja aterrado e que a tensão de polarização no dreno seja VDD = 8 V. A partir das informações apresentadas, pode-se afirmar que a capacitância parasita de difusão no dreno do transistor é igual a
591602 Q408268
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considere a operação do software Analog Design Environment a partir da sua janela principal. Deseja-se configurar um estímulo a um circuito. Sobre essa ação, considere as alternativas abaixo. A alternativa FALSA é a que diz que
591603 Q408266
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
A linguagem VerilogAMS HDL (Analog and Mixed-Signal Extensions to Verilog Hardware Description Language) estende as características de uma linguagem de modelagem digital para prover uma linguagem unificada com semânticas analógicas e digitais e com compatibilidade retroativa. A respeito da linguagem VerilogAMS HDL, a afirmação FALSA é que contém as informações de que
591604 Q408264
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considere a operação do software Virtuoso Layout Editor a partir da tela de edição de layouts propriamente dita. Deseja-se iniciar o desenho do layout de um inversor CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) pelo desenho de um transistor PMOS. Para tal, o usuário deve acessar a opção “Create” do menu, na qual estão disponíveis algumas opções, EXCETO:
591605 Q408262
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considere a operação do software Virtuoso Schematic Composer a partir da visualização de uma célula padrão de alto nível. Para se visualizarem os níveis mais baixos da hierarquia do esquemático, o usuário deve selecionar as opções:
591606 Q408261
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Os disparos parasitários ou latch-ups constituem um tipo particular de curto-circuito criado inadvertidamente em circuitos integrados pelo estabelecimento de um caminho de baixa impedância entre os trilhos de alimentação do circuito do MOSFET (transistor de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor). A estrutura parasita estabelecida pelo latch-up é equivalente ao seguinte tiristor:
591607 Q408259
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considerando as etapas básicas do processo de fabricação CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) cavidade “n”, a etapa ou passo na qual são definidas as regiões ativas do dispositivo CMOS chama-se:
591608 Q408258
Ciência da Computação
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Entre as opções a seguir, pode-se afirmar que NÃO são exemplos de memórias não voláteis
591609 Q408256
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
A Malha Amarrada por Fase (PLL – Phase Locked Loop) é um circuito integrado analógico utilizado numa ampla variedade de aplicações como, por exemplo, decodificadores FSK. Sobre os PLL, NÃO é correto afirmar que
591610 Q408254
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Seja um estágio de saída classe B que fornece 40,5 W para uma carga de 9 Ω. Sabe-se que a tensão provida pela fonte de alimentação possui valor igual à tensão de pico de saída a fim de evitar a saturação dos transistores do circuito. Pode-se afirmar que o rendimento da conversão de potência e a potência máxima dissipada em cada transistor para operação segura são, respectivamente, iguais a (utilize π = 3 nos cálculos)