111 Q408990
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Caracterizam um FET as especificações:

112 Q408988
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Um capacitor de 220 nF e um indutor de 220 μH encontram- se ligados em paralelo e estão submetidos a uma tensão senoidal de 40 kHz. Sendo XC a reatância do capacitor e XL a do indutor, é correta a relação:

113 Q408987
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

114 Q408986
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

115 Q408882
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.

Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente.

116 Q408880
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.

O transistor deve ser fabricado com a região do coletor mais extensa que a região da base e a região do emissor, uma vez que essa região dissipa mais calor que as demais.

117 Q408879
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Recentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes.

O LED tem sido usado na indústria de equipamentos eletrônicos como alternativa às lâmpadas incandescentes, em virtude das suas características de utilização em baixa tensão, vida longa e rápido chaveamento liga-desliga.

118 Q408877
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

119 Q408875
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

120 Q408874
Engenharia de Telecomunicações
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Caracteriza corretamente um transistor bipolar NPN de silício: