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A identificação dos átomos presentes na superfície de um material pode ser efetuada a partir da análise das energias de fotoelétrons.
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A microscopia de ponta de prova é ineficaz e por isso pouco utilizada na análise topográfica de uma superfície.
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As propriedades ópticas de um material são influenciadas por sua porosidade.
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Uma limitação importante da espectroscopia de elétrons Auger é a sua baixa resolução espacial.
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Os dispositivos eletrônicos da atualidade não têm as suas funcionalidades definidas pelas propriedades elétricas das interfaces entre os diferentes materiais que os compõem.
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A densidade de defeitos de superfície não é um parâmetro crítico para o desempenho de dispositivos semicondutores orgânicos.
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A eficiência das células solares orgânicas é influenciada pela qualidade dos contatos elétricos.
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No estudo dos semicondutores, o portador lacuna é utilizado na representação do transporte de carga elétrica pelos elétrons da banda de valência.
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As propriedades ópticas de um semicondutor independem da largura da banda proibida (bandgap) do material.
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A transparência de um material semicondutor à radiação eletromagnética não depende da freqüência dessa radiação.
