1 Q485762 Física Ano: 2012 Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) Pode-se afirmar que o SALICIDE é o emprego de A silicetos na estrutura desalinhada. B silicetos na estrutura auto-alinhada. C silicetos na estrutura. D tungstênio na estrutura auto-alinhada. E tungstênio na estrutura desalinhada. Responder Comentários Faça login para participar da discussão. Fazer Login Cadastre-se Gratuitamente Carregando comentários...
2 Q485760 Física Ano: 2012 Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) A utilização de silicetos na estrutura auto-alinhada possibilita A a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a baixa velocidade de operação do dispositivo. B a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo. C a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo. D a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo. E a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo. Responder Comentários Faça login para participar da discussão. Fazer Login Cadastre-se Gratuitamente Carregando comentários...
3 Q485758 Física Ano: 2012 Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) Para o estudo de conformidade e morfologia de filmes finos, a microscopia eletrônica de varredura pode ser utilizada para A obter a densidade areal. B obter informações da composição C (Configuração do material como uma função da profundidade imediatamente abaixo da superfície, geralmente alguns micrômetros). C determinar a distribuição das impurezas em filmes finos como função da profundidade. D estiramento das moléculas. E obter a composição química. Responder Comentários Faça login para participar da discussão. Fazer Login Cadastre-se Gratuitamente Carregando comentários...
4 Q485756 Física Ano: 2012 Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) A incorporação de oxigênio (O2) residual ao filme fino pode causar A aumento da resistividade do filme. B indução à formação de hillocks. C tensões. D inibição à formação de hillocks. E aumento da condutividade. Responder Comentários Faça login para participar da discussão. Fazer Login Cadastre-se Gratuitamente Carregando comentários...
5 Q485754 Física Ano: 2012 Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) Nos circuitos integrados, deseja-se determinar a fase em que se encontram os silicetos, utilizando-se, para isso, a difratografia por raios-X. Essa técnica permite determinar A o estiramento das moléculas. B a densidade areal do filme. C a composição física do filme. D a estrutura do filme formado. E a microestrutura do filme formado. Responder Comentários Faça login para participar da discussão. Fazer Login Cadastre-se Gratuitamente Carregando comentários...
6 Q485752 Física Ano: 2012 Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) O aquecimento do substrato proporciona uma boa cobertura de degrau porque A aumenta a mobilidade dos elétrons. B aumenta a mobilidade dos átomos no interior do substrato. C aumenta a mobilidade dos íons. D aumenta a mobilidade dos átomos na superfície. E diminui a mobilidade dos átomos na superfície. Responder Comentários Faça login para participar da discussão. Fazer Login Cadastre-se Gratuitamente Carregando comentários...
7 Q485750 Física Ano: 2012 Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) Com relação ao fenômeno da Eletromigração, pode-se afirmar que A o resultado dessa migração é a formação de degraus no filme, devido ao excesso de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo. B o resultado dessa migração é a formação de depressões no filme, devido à falta de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo. C o resultado dessa migração é a formação de degraus no filme, devido à falta de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo. D o resultado dessa migração é a formação de depressões no filme, devido ao excesso de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo. E o aumento da condutividade ocorre no estrangulamento do filme. Responder Comentários Faça login para participar da discussão. Fazer Login Cadastre-se Gratuitamente Carregando comentários...
8 Q485748 Física Ano: 2012 Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) No estrangulamento do filme, na Eletromigração, ocorre A um aumento de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura. B uma diminuição de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura. C uma diminuição de temperatura que acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura. D um aumento de temperatura que acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura. E uma diminuição de temperatura que não acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura. Responder Comentários Faça login para participar da discussão. Fazer Login Cadastre-se Gratuitamente Carregando comentários...
9 Q485746 Física Ano: 2012 Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) Eletromigração pode ser definida como A o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento das partículas que fluem no condutor aos átomos que compõe o metal. B o fenômeno do deslocamento do metal em linhas grossas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no condutor aos átomos que não compõe o metal. C o fenômeno da transformação do metal em grossas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no condutor aos átomos que compõe o metal. D o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos íons que fluem no condutor aos átomos que compõe o metal. E o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no condutor aos átomos que compõe o metal. Responder Comentários Faça login para participar da discussão. Fazer Login Cadastre-se Gratuitamente Carregando comentários...
10 Q485744 Física Ano: 2012 Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) A densidade de plasma será tanto maior quanto maior for A o grau de ionização. B a quantidade de radicais livres. C a quantidade de partículas sólidas a alta velocidade. D a quantidade de átomos. E a quantidade de moléculas. Responder Comentários Faça login para participar da discussão. Fazer Login Cadastre-se Gratuitamente Carregando comentários...
