A incorporação de oxigênio (O2) residual ao filme fino pode causar

Alternativa A: aumento da resistividade do filme.

Alternativa B: indução à formação de hillocks.

Alternativa D: inibição à formação de hillocks.

Alternativa E: aumento da condutividade.

A incorporação de oxigênio (O2) residual ao filme fino po...

Questão Q485756

2012 FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Física Geral

Prova: Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - FILFIN) - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) do ano 2012 • Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

A incorporação de oxigênio (O₂) residual ao filme fino pode causar

A aumento da resistividade do filme. B indução à formação de hillocks. C tensões. D inibição à formação de hillocks. E aumento da condutividade.

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