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Q446810
A limpeza das lâminas de silício é fundamental num processo de microfabricação. Para garantir uma limpeza eficaz, com a menor quantidade possível de impurezas, segue-se um processo padrão de uma sequência de etapas. No caso da eliminação, principalmente, de gordura, utiliza-se uma solução denominada piranha, a qual pode ser representada como:
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Q446808
Os processos de produção desenvolvidos pela área de Microeletrônica têm colaborado com o desenvolvimento de tecnologias limpas em outras áreas do conhecimento. Das técnicas advindas da Microeletrônica, destaca-se a deposição química a vapor enriquecida por plasma. As principais vantagens do uso de plasmas no tratamento de superfícies são:
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Q446806
Um circuito integrado é um dispositivo microeletrônico que consiste de muitos transistores e outros componentes interligados capazes de desempenhar muitas funções. Suas dimensões são extremamente reduzidas e seus componentes são formados em pastilhas de material semicondutor. A importância da integração está no baixo custo e no alto desempenho, além do tamanho reduzido dos circuitos aliados à alta confiabilidade e estabilidade de funcionamento. Para isto, é necessário um cuidado maior nas etapas de limpeza industrial. Com relação à remoção de óxido, SiO2, nativo da superfície de silício, utiliza-se HF(aq) à temperatura ambiente, o qual não poderá ser reservado em recipientes de vidro pois provoca a corrosão do vidro através da reação, representada corretamente pela equação termoquím...
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Q446804
O processo de limpeza padrão utilizado na fabricação de Circuitos Integrados consiste em uma sequência de etapas, e tem como objetivo principal garantir uma limpeza eficaz das lâminas, com a menor quantidade possível de impurezas. Para a remoção de compostos orgânicos, há 2 (duas) observações importantes no preparo da mistura de limpeza (H2SO4/H2O2): (1) adicionar primeiro o H2O2 e (2) deixar a mistura resfriar antes de reservá-la em um recipiente. Essas observações se devem, respectivamente,
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Q446803
O estudo e desenvolvimento de processos de oxidação de Si permitiram em 1960 o desenvolvimento do transistor de efeito de campo com porta isolada, ou seja, o transistor MOSFET ou simplesmente MOS. Os dispositivos MOS apresentavam uma interface SiO2/Si de muito boa qualidade, com baixa densidade de estados de superfície. Mas, apesar disso, apresentavam uma estabilidade pobre, causando um atraso de mais de 10 anos para seu uso em grande escala. O motivo desse problema era a falta de controle de contaminação de impurezas. Mais especificamente, as impurezas responsáveis por cargas positivas dentro do isolante de porta e que causam um desvio na tensão de limiar dos transistores (altera a densidade de portadores induzidos no canal). Dentre as impurezas catiônicas possíveis, tem-se a impur...
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Q446801
Antes do uso, as lâminas de Silício são limpas quimicamente para remover partículas e contaminações da superfície, assim como alguns vestígios de impurezas orgânicas, inorgânicas e metálicas. Entretanto, um problema relevante nos processos de limpeza é a remoção dos metais da superfície da lâmina. Existem íons que não são dissolvidos na maioria das soluções de limpeza ou de “decapagem”. Nesse caso, se adiciona ácido acético, capaz de se unir aos íons metálicos para que não se depositem na lâmina. Dentre os metais contaminantes, aquele que necessita do ácido acético para ser eliminado é o:
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Q446799
Os filmes finos utilizados na fabricação dos Circuitos Integrados devem apresentar características rigorosamente controladas. A espessura, a estrutura atômica e a composição química devem ser uniformes, com baixa densidade de defeitos e mínima contaminação por partículas. Dessa forma, as limpezas químicas em microeletrônica exercem um papel muito importante, pois permitem
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Q446142
O revestimento inferior externo ou escudo térmico utilizado nos ônibus espaciais americanos (Endeavour e Discovery) é constituído por um conjunto de blocos montados na parte inferior destas naves. Estes blocos são produzidos com material
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Q446140
Com relação aos processos de reciclagem dos materiais de engenharia,
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Q446138
O emprego de microscópios eletrônicos de varredura (MEV) equipados com espectrômetro de dispersão de energia (EDS) e espectrômetro de dispersão de comprimento de onda (WDS) permite a realização de análises