3511 Q422189
Engenharia Eletrônica
Ano: 2007
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

No circuito ao lado, o transistor de efeito de campo MOSFET do tipo enriquecimento é utilizado como chave, permitindo ou não a passagem de corrente pela carga, que, no caso, é um resistor com resistência igual a RL. O transistor possui tensão de limiar (threshold) de valor Vt e VI é a tensão de controle do circuito. Acerca das características de operação desse circuito, julgue os itens subseqüentes.

Para VI >> VO + Vt, a carga será percorrida por uma corrente de valor aproximadamente igual a  amperes.

3512 Q422188
Engenharia Eletrônica
Ano: 2007
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

No circuito ao lado, o transistor de efeito de campo MOSFET do tipo enriquecimento é utilizado como chave, permitindo ou não a passagem de corrente pela carga, que, no caso, é um resistor com resistência igual a RL. O transistor possui tensão de limiar (threshold) de valor Vt e VI é a tensão de controle do circuito. Acerca das características de operação desse circuito, julgue os itens subseqüentes.

Em operação normal, a corrente de porta do transistor é da ordem de algumas dezenas de miliamperes.

3513 Q422187
Engenharia Eletrônica
Ano: 2007
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

No circuito ao lado, o transistor de efeito de campo MOSFET do tipo enriquecimento é utilizado como chave, permitindo ou não a passagem de corrente pela carga, que, no caso, é um resistor com resistência igual a RL. O transistor possui tensão de limiar (threshold) de valor Vt e VI é a tensão de controle do circuito. Acerca das características de operação desse circuito, julgue os itens subseqüentes.

Quando VO > VI - Vt e VI > Vt o transistor estará no modo saturação, não sendo adequado à operação como chave.

3514 Q422186
Engenharia Eletrônica
Ano: 2007
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

No circuito ao lado, o transistor de efeito de campo MOSFET do tipo enriquecimento é utilizado como chave, permitindo ou não a passagem de corrente pela carga, que, no caso, é um resistor com resistência igual a RL. O transistor possui tensão de limiar (threshold) de valor Vt e VI é a tensão de controle do circuito. Acerca das características de operação desse circuito, julgue os itens subseqüentes.

O MOSFET do tipo enriquecimento possui um canal que é fisicamente implantado, por meio de técnicas de dopagem.

3515 Q422150
Engenharia Eletrônica
Ano: 2007
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)
O número binário (10100111) equivale, respectivamente, nas bases hexadecimal e decimal, a
3516 Q422149
Engenharia Eletrônica
Ano: 2007
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Relacione os parâmetros híbridos do transistor emissor comum com os seus respectivos significados.

I. hoe                 a. ganho direto de corrente

II. hie                  b. admitância de saída

III. hre                c. impedância de entrada

IV. hfe                d. ganho reverso de tensão

3517 Q422148
Engenharia Eletrônica
Ano: 2007
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Considere o trecho de programa da família 8051.

MOV A, #3FH

INC A

MOV P1,A

Ao final, o port P1, em binário, terá

3518 Q422147
Engenharia Eletrônica
Ano: 2007
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

A função de R1 e R2 é
3519 Q422146
Engenharia Eletrônica
Ano: 2007
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

O valor aproximado da freqüência de oscilação é
3520 Q422145
Engenharia Eletrônica
Ano: 2007
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)
Considere um circuito RLC paralelo formado por L = 10mH, C = 220nF e R = 470kΩ. A freqüência de ressonância vale, aproximadamente,