2571 Q794065
Engenharia Eletrônica
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Na análise de máquinas elétricas e transformadores, o estudo do fluxo magnético pelo sistema se dá em analogia ao estudo do fluxo de corrente em circuitos elétricos. Os denominados circuitos magnéticos envolvem conceitos similares ao seu correspondente elétrico. Com relação aos circuitos magnéticos e suas aplicações, julgue os itens a seguir. As perdas de energia em transformadores se dão, principalmente, nos enrolamentos, que são feitos a partir de materiais de baixa condutividade para evitar aquecimento.
2572 Q794064
Engenharia Eletrônica
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Na análise de máquinas elétricas e transformadores, o estudo do fluxo magnético pelo sistema se dá em analogia ao estudo do fluxo de corrente em circuitos elétricos. Os denominados circuitos magnéticos envolvem conceitos similares ao seu correspondente elétrico. Com relação aos circuitos magnéticos e suas aplicações, julgue os itens a seguir. Se um indutor de 1 H é percorrido por uma corrente constante de 2 mA, então ele armazena, no campo magnético, uma energia de 2
2573 Q794063
Engenharia Eletrônica
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Na análise de máquinas elétricas e transformadores, o estudo do fluxo magnético pelo sistema se dá em analogia ao estudo do fluxo de corrente em circuitos elétricos. Os denominados circuitos magnéticos envolvem conceitos similares ao seu correspondente elétrico. Com relação aos circuitos magnéticos e suas aplicações, julgue os itens a seguir. A indutância é definida como o enlace de fluxo por unidade de corrente, tendo por unidade o henry, equivalente a 1 weber por ampere.
2574 Q794062
Engenharia Eletrônica
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Na análise de máquinas elétricas e transformadores, o estudo do fluxo magnético pelo sistema se dá em analogia ao estudo do fluxo de corrente em circuitos elétricos. Os denominados circuitos magnéticos envolvem conceitos similares ao seu correspondente elétrico. Com relação aos circuitos magnéticos e suas aplicações, julgue os itens a seguir. A presença de um laço no plano B – H indica o fenômeno da histerese. A área desse laço é proporcional à perda de energia por correntes de Foucault.
2575 Q794061
Engenharia Eletrônica
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem. Um chaveamento simples de uma fonte DC, sem filtragem adicional, é adequado para certos tipos de carga, como, por exemplo, circuitos eletrônicos.
2576 Q794060
Engenharia Eletrônica
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem. Um regulador linear tem como principal vantagem a alta eficiência energética, quando comparado aos reguladores chaveados, porque estes últimos dissipam muita energia no processo de chaveamento.
2577 Q794059
Engenharia Eletrônica
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.
2578 Q794058
Engenharia Eletrônica
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa po...
2579 Q794057
Engenharia Eletrônica
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de porta...
2580 Q794056
Engenharia Eletrônica
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. A tensão de limiar do MOSFET ( threshold voltage) é a tensão porta-substrato necessária para colocar a região de canal em inversão forte.