681 Q424180
Engenharia Eletrônica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

No microprocessador, o acumulador tem como função

682 Q424179
Engenharia Eletrônica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Um condutor tem 500 m de comprimento, seção transversal de 5 mm2 e resistividade 0,02 Ω . mm2/m. Ao aplicar uma tensão de 5 V nas extremidades deste condutor, a intensidade de corrente fornecida pela fonte será de

683 Q424178
Engenharia Eletrônica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Sobre o inversor de frequência, é correto afirmar:

684 Q424177
Engenharia Eletrônica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Nos manuais técnicos do diodo semicondutor, o termo Forward Current significa corrente

685 Q424176
Engenharia Eletrônica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Uma tensão senoidal com VPP = 20 V, frequência = 50 Hz e ângulo inicial de fase = 30° tem sua representação matemática expressa em:

686 Q424175
Engenharia Eletrônica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Quanto ao SCR, é correto afirmar:

687 Q424174
Engenharia Eletrônica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Parâmetro oferecido pelo fabricante do JFET que corresponde à tensão de corte do dispositivo, ou seja, faz com que a corrente de dreno seja praticamente nula. Trata-se de:

688 Q424173
Engenharia Eletrônica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

689 Q424172
Engenharia Eletrônica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

690 Q424171
Engenharia Eletrônica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Uma bobina apresenta reatância aproximada de 6,3 Ω quando está operando com sinal senoidal de 10 kHz. O valor nominal de sua indutância é