3221 Q423386
Engenharia Eletrônica
Ano: 2001
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A figura abaixo mostra o esquema de um circuito retificador de tensão implementado com diodos semicondutores. Com base na figura, julgue os itens abaixo.

A tensão de pico reversa a que cada diodo é submetido é maior que a amplitude da senóide gerada no secundário do transformador - entre o tap central e qualquer um dos dois outros terminais.

3222 Q423385
Engenharia Eletrônica
Ano: 2001
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A figura abaixo mostra o esquema de um circuito retificador de tensão implementado com diodos semicondutores. Com base na figura, julgue os itens abaixo.

O fator de ondulação da fonte pode ser reduzido utilizando-se um filtro capacitivo na saída do retificador.

3223 Q423384
Engenharia Eletrônica
Ano: 2001
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A figura abaixo mostra o esquema de um circuito retificador de tensão implementado com diodos semicondutores. Com base na figura, julgue os itens abaixo.

Essa topologia de retificação apresenta uma impedância de saída muito alta.

3224 Q423383
Engenharia Eletrônica
Ano: 2001
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A figura abaixo mostra o esquema de um circuito retificador de tensão implementado com diodos semicondutores. Com base na figura, julgue os itens abaixo.

A figura mostra um retificador de onda completa.

3225 Q423382
Engenharia Eletrônica
Ano: 2001
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A figura acima mostra um amplificador implementado com um transistor JFET. Os capacitores CL e CP são grandes o suficiente para não afetarem a freqüência de corte inferior do circuito. Os parâmetros do dispositivo JFET, assim como outros dados relativos ao circuito são apresentados na tabela acima, em que rd é a resistência de canal do JFET. Julgue os seguintes itens, relativos ao circuito, considerando que o amplificador apresenta o módulo do ganho de tensão igual a 2.

O capacitor CG, que define uma freqüência de corte inferior igual a 1 rad/s, pode ser expresso por
3226 Q423381
Engenharia Eletrônica
Ano: 2001
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A figura acima mostra um amplificador implementado com um transistor JFET. Os capacitores CL e CP são grandes o suficiente para não afetarem a freqüência de corte inferior do circuito. Os parâmetros do dispositivo JFET, assim como outros dados relativos ao circuito são apresentados na tabela acima, em que rd é a resistência de canal do JFET. Julgue os seguintes itens, relativos ao circuito, considerando que o amplificador apresenta o módulo do ganho de tensão igual a 2.

O valor de RD que satisfaz a polarização e a especificação de ganho do circuito é inferior a 2 k•.
3227 Q423380
Engenharia Eletrônica
Ano: 2001
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A figura acima mostra um amplificador implementado com um transistor JFET. Os capacitores CL e CP são grandes o suficiente para não afetarem a freqüência de corte inferior do circuito. Os parâmetros do dispositivo JFET, assim como outros dados relativos ao circuito são apresentados na tabela acima, em que rd é a resistência de canal do JFET. Julgue os seguintes itens, relativos ao circuito, considerando que o amplificador apresenta o módulo do ganho de tensão igual a 2.

O ganho de transcondutância gm do modelo para pequenos sinais do JFET é igual a 2 mA/V.
3228 Q423379
Engenharia Eletrônica
Ano: 2001
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A figura acima mostra um amplificador implementado com um transistor JFET. Os capacitores CL e CP são grandes o suficiente para não afetarem a freqüência de corte inferior do circuito. Os parâmetros do dispositivo JFET, assim como outros dados relativos ao circuito são apresentados na tabela acima, em que rd é a resistência de canal do JFET. Julgue os seguintes itens, relativos ao circuito, considerando que o amplificador apresenta o módulo do ganho de tensão igual a 2.

Para os parâmetros dados da polarização, o valor de é superior a 100 k•.
3229 Q423378
Engenharia Eletrônica
Ano: 2001
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A figura acima mostra um amplificador implementado com um transistor JFET. Os capacitores CL e CP são grandes o suficiente para não afetarem a freqüência de corte inferior do circuito. Os parâmetros do dispositivo JFET, assim como outros dados relativos ao circuito são apresentados na tabela acima, em que rd é a resistência de canal do JFET. Julgue os seguintes itens, relativos ao circuito, considerando que o amplificador apresenta o módulo do ganho de tensão igual a 2.

A tensão porta-fonte do amplificador é igual a –3 V.
3230 Q423377
Engenharia Eletrônica
Ano: 2001
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens abaixo, relativos à aplicação de realimentação negativa em circuitos amplificadores lineares.

A realimentação negativa minimiza ruídos espúrios apresentados à entrada do amplificador.