281 Q794088
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Com relação a sensores de grandezas físicas em aplicações médicas, julgue os itens que se seguem. Os dispositivos denominados strain gauges, utilizados para a medida de força, são embasados no efeito piezelétrico e têm a vantagem de não necessitarem de células de carga para seu uso.
282 Q794087
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Um especialista tem a tarefa de projetar dois sistemas eletrônicos, um para captação de sinais eletrocardiográficos e outro para detecção de sinais eletromiográficos de superfície. Ele deve também projetar um sistema para medida de saturação de oxigênio por meio de oximetria de pulso.

Com relação a essa situação, julgue os itens de 107 a 113.

O amplificador de instrumentação que é utilizado no sistema de detecção de sinais eletromiográficos deve apresentar alta razão de rejeição de modo comum (common mode rejectio ratio – CMRR), de forma que o amplificador possa rejeitar melhor a interferência de 60 Hz (no caso do Brasil).
283 Q794086
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

No circuito mostrado na figura acima, Va é a tensão de entrada e V0 é a tensão de saída. Considerando que o amplificador operacional seja ideal, julgue os próximos itens.

O ganho de tensão do circuito é infinito.
284 Q794085
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

No circuito CMOS ilustrado na figura acima, Va é a tensão de entrada e V0 é a tensão de saída. Com base nesse circuito, julgue os itens a seguir.

Se Va = 5 V, então a corrente que vai do dreno do transistor PMOS ao dreno do transistor NMOS é aproximadamente nula.
285 Q794083
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Nos circuitos 1 e 2 mostrados acima, os diodos são ideais. Com base nesses circuitos, julgue os itens subsequentes.

No circuito 2, se Va = 0 V e Vb = 0 V, então V0 = 5 V.
286 Q794082
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Considerando os elementos de circuito mostrados nas figuras I, II e III acima, julgue os itens a seguir, com base na física dos semicondutores.

No elemento mostrado na figura I, o cátodo possui maior concentração de elétrons que de lacunas.
287 Q794074
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Considerando os elementos de circuito mostrados nas figuras I, II e III acima, julgue os itens a seguir, com base na física dos semicondutores.

No elemento mostrado na figura III, o coletor apresenta maior concentração de lacunas que de elétrons.
288 Q760215
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Com relação às técnicas de codificação de voz, julgue os itens que se seguem. O DPCM (differential pulse code modulation), ou modulação por código de pulsos diferencial, é um codificador de forma de onda que explora a significativa correlação entre amostras sucessivas do sinal de voz, uma vez que este é bastante redundante.
289 Q760214
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Acerca do funcionamento de um transistor bipolar de junção NPN, julgue o item abaixo. Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.
290 Q634586
Engenharia Eletrônica
Ano: 2010
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Considere os símbolos abaixo.

 Os símbolos estão corretamente identificados em