101 Q408398
Engenharia Elétrica
Ano: 2014
Banca: CONSULPLAN Consultoria (CONSULPLAN)

A figura a seguir ilustra o circuito de polarização universal do transistor. O Hfe deste transistor é igual a 100, e a tensão Vbe é igual a 0,7V.

Considerando as informações apresentadas, o valor da tensão sobre o resistor do emissor é igual a

102 Q408152
Engenharia Elétrica
Ano: 2014
Banca: Instituto Americano de desenvolvimento (IADES)
Com relação aos conceitos e procedimentos utilizados para dimensionar os sistemas elétricos de baixa tensão, assinale a alternativa correta.
103 Q408143
Engenharia Elétrica
Ano: 2014
Banca: Instituto Americano de desenvolvimento (IADES)
104 Q408137
Engenharia Elétrica
Ano: 2014
Banca: Instituto Americano de desenvolvimento (IADES)
De acordo com a NBR 5410/2004, assinale a alternativa que indica o conceito correto a respeito do número de condutores carregados a serem considerados em um circuito.
105 Q408087
Engenharia Elétrica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias

Dado o circuito abaixo, considerando o diodo sendo IDEAL:

Pode-se dizer que na saída v0, terá a seguinte saída:

106 Q410370
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Julgue os itens subsecutivos, a respeito da teoria de controle. A representação no espaço de estados de um modelo matemático descrito por uma equação diferencial de ordem n consiste em um sistema de n equações diferenciais de primeira ordem.
107 Q410368
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Julgue os itens subsecutivos, a respeito da teoria de controle. Basta uma única variável de estado para descrever completamente a dinâmica de um sistema linear de segunda ordem.
108 Q410366
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Com relação aos componentes, funcionamento e sistemas operacionais de microcomputadores, julgue os itens subsequentes. As memórias DDR (double data rate) são síncronas e transferem dados na subida e na descida do clock.
109 Q410364
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Com relação aos componentes, funcionamento e sistemas operacionais de microcomputadores, julgue os itens subsequentes. As memórias DRAM são voláteis e com acessos síncronos em relação ao clock da placa mãe.
110 Q410362
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Com relação aos componentes, funcionamento e sistemas operacionais de microcomputadores, julgue os itens subsequentes. Redução da quantidade de instruções e otimização do tempo médio para a execução de instruções de máquina incluem-se entre os objetivos da implementação de um processador com arquitetura RISC.