1 Q410350
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere aos circuitos lógicos, julgue os itens a seguir.

Quando a entrada A do circuito mostrado na figura abaixo for 5 V, a saída Y será nula.

2 Q410348
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere aos circuitos lógicos, julgue os itens a seguir.

O circuito apresentado na figura 2, abaixo, corresponde a uma simplificação do circuito da figura 1.

3 Q410347
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Se RC = 3 kΩ e a corrente no coletor, igual a 2 mA, então a tensão entre o coletor e o emissor é 3V.
4 Q410346
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Para que o transistor sature com corrente de coletor igual a 40 mA, o valor da resistência RC deve ser igual a 250 Ω.
5 Q410345
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
A corrente na base é 100 vezes menor que a corrente no coletor.
6 Q410344
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O rendimento do amplificador classe C é maior que o dos amplificadores classes A, B e AB, de modo que seu ganho é máximo na frequência de ressonância.
7 Q410343
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O comportamento do diodo de Schottky baseia-se na barreira de potencial na junção de semicondutores dopados dos tipos N e P.
8 Q410342
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O controle do fluxo de corrente no transistor de efeito de campo (FET) é feito por corrente, ao passo que, no transistor bipolar de junção (BJT), esse controle é feito por tensão.
9 Q410341
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao SCR pode ser representado pela associação de um transistor PNP com um NPN.
10 Q410339
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
A combinação das leis de Faraday e de Ampère prediz a existência de ondas eletromagnéticas. Em uma onda plana, os vetores intensidade de campo magnético estão sobre um plano e os diversos planos de propagação são paralelos. Com relação a esse assunto, julgue os itens a seguir, considerando um meio de propagação linear, homogêneo, isotrópico, livre de fontes e não condutor. Se o meio de propagação não apresentar perdas, as intensidades dos campos ao longo de seus eixos de vibração, em dado instante de tempo, serão representadas por senoides com amplitudes constantes ao longo do eixo de propagação.