21 Q408398
Engenharia Elétrica
Ano: 2014
Banca: CONSULPLAN Consultoria (CONSULPLAN)

A figura a seguir ilustra o circuito de polarização universal do transistor. O Hfe deste transistor é igual a 100, e a tensão Vbe é igual a 0,7V.

Considerando as informações apresentadas, o valor da tensão sobre o resistor do emissor é igual a

22 Q408152
Engenharia Elétrica
Ano: 2014
Banca: Instituto Americano de desenvolvimento (IADES)
Com relação aos conceitos e procedimentos utilizados para dimensionar os sistemas elétricos de baixa tensão, assinale a alternativa correta.
23 Q408143
Engenharia Elétrica
Ano: 2014
Banca: Instituto Americano de desenvolvimento (IADES)
24 Q408137
Engenharia Elétrica
Ano: 2014
Banca: Instituto Americano de desenvolvimento (IADES)
De acordo com a NBR 5410/2004, assinale a alternativa que indica o conceito correto a respeito do número de condutores carregados a serem considerados em um circuito.
25 Q408087
Engenharia Elétrica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias

Dado o circuito abaixo, considerando o diodo sendo IDEAL:

Pode-se dizer que na saída v0, terá a seguinte saída:

26 Q410235
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Fundação Getúlio Vargas (FGV)

27 Q410232
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Fundação Getúlio Vargas (FGV)

28 Q408300
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Assinale a alternativa incorreta sobre DRC e/ou LVS.
29 Q408298
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O consumo de potência é uma parte critica no projeto de SoC (System-on-a-Chip), sendo um dos requisitos mais importantes de um chip. Sobre o consumo de potência, é correto afirmar o seguinte:
30 Q408271
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a permissividade do vácuo ε0 = 8,85 x 10-12 F/m e a permissividade relativa do óxido εox = 4)