1451 Q416452
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Os circuitos de I a IV, cujos diagramas estão mostrados acima, utilizam diodos semicondutores que, quando estão em condução direta, apresentam queda de tensão constante e igual a 0,8 V entre o ânodo e o cátodo. Suponha que esses circuitos façam parte de um equipamento e que, durante procedimento de manutenção corretiva, as tensões indicadas por V m são medidas com o objetivo de tirar conclusões a respeito da existência ou não de defeito em algum dispositivo semicondutor. Considere que o defeito em um diodo é caracterizado pelo fato de ele estar em curto-circuito ou em circuito aberto, quando era esperado que o dispositivo estivesse conduzindo. Considere também que as resistências existentes nesses circuit...

1452 Q416450
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Os circuitos de I a IV, cujos diagramas estão mostrados acima, utilizam diodos semicondutores que, quando estão em condução direta, apresentam queda de tensão constante e igual a 0,8 V entre o ânodo e o cátodo. Suponha que esses circuitos façam parte de um equipamento e que, durante procedimento de manutenção corretiva, as tensões indicadas por V m são medidas com o objetivo de tirar conclusões a respeito da existência ou não de defeito em algum dispositivo semicondutor. Considere que o defeito em um diodo é caracterizado pelo fato de ele estar em curto-circuito ou em circuito aberto, quando era esperado que o dispositivo estivesse conduzindo. Considere também que as resistências existentes nesses circuit...

1453 Q416448
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Os circuitos de I a IV, cujos diagramas estão mostrados acima, utilizam diodos semicondutores que, quando estão em condução direta, apresentam queda de tensão constante e igual a 0,8 V entre o ânodo e o cátodo. Suponha que esses circuitos façam parte de um equipamento e que, durante procedimento de manutenção corretiva, as tensões indicadas por V m são medidas com o objetivo de tirar conclusões a respeito da existência ou não de defeito em algum dispositivo semicondutor. Considere que o defeito em um diodo é caracterizado pelo fato de ele estar em curto-circuito ou em circuito aberto, quando era esperado que o dispositivo estivesse conduzindo. Considere também que as resistências existentes nesses circuit...

1454 Q416447
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Os circuitos de I a IV, cujos diagramas estão mostrados acima, utilizam diodos semicondutores que, quando estão em condução direta, apresentam queda de tensão constante e igual a 0,8 V entre o ânodo e o cátodo. Suponha que esses circuitos façam parte de um equipamento e que, durante procedimento de manutenção corretiva, as tensões indicadas por V m são medidas com o objetivo de tirar conclusões a respeito da existência ou não de defeito em algum dispositivo semicondutor. Considere que o defeito em um diodo é caracterizado pelo fato de ele estar em curto-circuito ou em circuito aberto, quando era esperado que o dispositivo estivesse conduzindo. Considere também que as resistências existentes nesses circuit...

1455 Q416445
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

As figuras acima apresentam os diagramas dos circuitos A, B e C, que utilizam amplificadores operacionais, em que V e representa a tensão de entrada e V s, a tensão de saída. Considerando que esses circuitos comportam-se de forma ideal e não operam em saturação, julgue os itens a seguir.

No circuito C, se o interruptor S estiver fechado, a tensão de saída V s será nula, independentemente da tensão de entrada V e.

1456 Q416443
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

As figuras acima apresentam os diagramas dos circuitos A, B e C, que utilizam amplificadores operacionais, em que V e representa a tensão de entrada e V s, a tensão de saída. Considerando que esses circuitos comportam-se de forma ideal e não operam em saturação, julgue os itens a seguir.

No circuito B, se V e = 2,5 V, então V s = -1,25 V.

1457 Q416441
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

As figuras acima apresentam os diagramas dos circuitos A, B e C, que utilizam amplificadores operacionais, em que V e representa a tensão de entrada e V s, a tensão de saída. Considerando que esses circuitos comportam-se de forma ideal e não operam em saturação, julgue os itens a seguir.

No circuito A, se V e = 2,5 V, então V s = -2,5 V.

1458 Q416439
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

As figuras acima apresentam os diagramas dos circuitos A, B e C, que utilizam amplificadores operacionais, em que V e representa a tensão de entrada e V s, a tensão de saída. Considerando que esses circuitos comportam-se de forma ideal e não operam em saturação, julgue os itens a seguir.

O circuito A representa amplificador não-inversor.

1459 Q416437
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A resposta em alta freqüência é limitada pelas capacitâncias internas aos transistores. Em particular, na configuração mostrada, a capacitância entre porta e dreno terá papel preponderante, pelo chamado efeito Miller, que faz com que o efeito dessa capacitância seja ampliado pelo ganho de tensão do estágio.

1460 Q416436
Engenharia Elétrica
Ano: 2004
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Em comparação com o que ocorre em estágios amplificadores usando transistores bipolares em configuração emissor comum, a configuração apresentada requer o uso de valores mais altos do capacitor de acoplamento C1 para uma mesma resposta em freqüência.