9181 Q182237
Conhecimentos Técnicos de um determinado CARGO/ÁREA
Ano: 2008
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Um resistor com tolerância de 5% é submetido a uma tensão de 20 V. A corrente que passa por ele é de 6,2 mA e foi medida com um amperímetro. As cores dos anéis que representam o valor nominal desse resistor são:

9182 Q182236
Conhecimentos Técnicos de um determinado CARGO/ÁREA
Ano: 2008
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

O ganho de tensão do amplificador abaixo vale

9183 Q182235
Conhecimentos Técnicos de um determinado CARGO/ÁREA
Ano: 2008
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Em um CLP, o conteúdo dos endereços M01 e M02 são, respectivamente, AAH e 55H. Após a execução da operação bit a bit representada por (M03 ← M01 OR M02), o conteúdo do endereço M03 será

9184 Q182234
Conhecimentos Técnicos de um determinado CARGO/ÁREA
Ano: 2008
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

De acordo com a NR-6, Anexo I, há diversos tipos de calçado de segurança, mas NÃO é considerado EPI o calçado de segurança para proteção dos pés

9185 Q182232
Conhecimentos Técnicos de um determinado CARGO/ÁREA
Ano: 2008
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

A coluna I apresenta o trecho de um programa executado por um sistema microprocessado e a coluna II representa as ações realizadas por cada instrução.

Ao final da última instrução, o conteúdo do acumulador A será

9186 Q182231
Conhecimentos Técnicos de um determinado CARGO/ÁREA
Ano: 2008
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Em um circuito RC série, em que R = 10 kΩ e C = 100 μF, é aplicada uma tensão DC de 10 V. A constante de tempo τ do circuito e o valor aproximado da tensão VR no resistor, após um intervalo equivalente a τ, considerando que, no instante em que a tensão DC é aplicada, o capacitor encontrava-se totalmente descarregado, são:

9187 Q182230
Conhecimentos Técnicos de um determinado CARGO/ÁREA
Ano: 2008
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Analise as afirmações relativas aos diodos semicondutores:

I. A barreira de potencial que se forma no diodo é causada pelo bombardeio de átomos de germânio no cristal de silício durante o processo de dopagem.

II. A barreira de potencial em diodos de silício é da ordem de 0,6 V.

III. A intensidade da corrente direta no diodo é diretamente proporcional à tensão reversa nele aplicada.

É correto o que consta APENAS em

9188 Q182229
Conhecimentos Técnicos de um determinado CARGO/ÁREA
Ano: 2008
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

No microprocessador, o parâmetro de saída que indica a tensão mínima considerada como nível alto é denominada

9189 Q182228
Conhecimentos Técnicos de um determinado CARGO/ÁREA
Ano: 2008
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Em um manual de circuitos integrados digitais da família TTL, o dispositivo 74LS76 é apresentado como:

Dual Master-Slave J-K Flip-Flops with Preset, Clear and Complementary Outputs. Além disso, há uma nota referente ao símbolo do pulso de relógio que aparece na tabela de funções que informa: Positive pulse data. The J and K inputs must be held constant while the clock is high. Data is transfered to the outputs on the falling edge of the clock pulse.

A interpretação correta das informações fornecidas pelos textos em inglês é:

9190 Q182227
Conhecimentos Técnicos de um determinado CARGO/ÁREA
Ano: 2008
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Um gerador de tensão com resistência interna de 5 Ω produz uma tensão em vazio de 100 V. A sua conversão para um gerador de corrente equivalente resulta nas especificações dadas em