O IGBT, ou transistor bipolar de porta isolada é um disp...

Questão Q417475

2006 Fundação José Pelúcio Ferreira (FJPF) Departamento Nacional de InfraEstrutura de Transportes (DNIT)

Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos

Prova: Concurso Departamento Nacional de InfraEstrutura de Transportes (DNIT) - Analista em Infraestrutura Área Engenharia Elétrica - Fundação José Pelúcio Ferreira (FJPF) do ano 2006 • Departamento Nacional de InfraEstrutura de Transportes (DNIT)

O IGBT, ou transistor bipolar de porta isolada é um dispositivo que está sendo amplamente utilizado em inversores comerciais. A respeito do IGBT, NÃO é correto afirmar que:

o IGBT apresenta a característica de baixa queda de tensão no estado ligado, como o transistor bipolar (BJT)

a velocidade de chaveamento do IGBT é menor do que a do BJT

o disparo do IGBT é realizado pela aplicação de um pulso de corrente na porta

a capacidade de bloqueio para tensões inversas do IGBT é muito ruim

atualmente existem IGBTs que apresentam corrente nominal de 1kA

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