321 Q760346
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Haja vista que a escolha do tipo e da capacidade de memória depende da aplicação a qual se destina o computador, julgue os itens seguintes, relativos às características das memórias A, B e C especificadas na tabela precedente

Na memória C, o tempo de acesso ao dado depende do endereço deste na memória.
322 Q760345
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Haja vista que a escolha do tipo e da capacidade de memória depende da aplicação a qual se destina o computador, julgue os itens seguintes, relativos às características das memórias A, B e C especificadas na tabela precedente

A memória B possui a capacidade de apagar e reescrever baites individuais em sua matriz.
323 Q760312
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Fundação Getúlio Vargas (FGV)

A respeito dos conversores CA-CC, CA-CA e CC-CC, considere as afirmativas a seguir.

I. A tensão média de saída do conversor CC-CC é controlada pela variação do tempo de condução do transistor.

II. O conversor CA-CC converte uma tensão CA em CC, onde o controle da tensão CC é feito por meio da variação da tensão CA de entrada.

III. O conversor CA-CA permite a obtenção de uma tensão CA variável a partir de uma tensão CA fixa de entrada.

Está correto o que se afirma em

324 Q760311
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Fundação Getúlio Vargas (FGV)

A figura abaixo apresenta um circuito destinado à medição da resistência de R por meio da ddp Vab:

A expressão que determina o valor de R em função de Vab é:

325 Q760310
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Fundação Getúlio Vargas (FGV)
Em um sistema elétrico a tensão de pré-falta é igual a 0,8 p.u.. A corrente de falta trifásica é igual a 10 kA em um setor onde a corrente de base é igual a 20 kA. A impedância do equivalente de Thèvenin de sequência positiva visto do ponto da falta, em p.u., é igual a:
326 Q760309
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Fundação Getúlio Vargas (FGV)
327 Q760308
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Fundação Getúlio Vargas (FGV)
Os disjuntores dos quadros de energia são normalmente conectados aos cabos por meio de parafusos. O procedimento de aperto periódico desses parafusos, caracteriza a manutenção
328 Q760307
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Fundação Getúlio Vargas (FGV)

Sobre as características das configurações de subestações, assinale as afirmativas a seguir.

I. Barra Dupla - um disjuntor permite que o defeito em um dos circuitos não afete a operação da subestação, pois cada circuito tem um disjuntor associado.

II. Barramento em Anel - forma um circuito fechado por meio de manobras das chaves do circuito. Cada equipamento é alimentado por dois disjuntores separados.

III. Barra simples seccionado - interrompe a operação da subestação diante da abertura de um dos disjuntores.

Está correto o que se afirma em

329 Q760306
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Fundação Getúlio Vargas (FGV)

Uma subestação de 13,8 kV possui um transformador de 500 x 30,5 kVA. O TC para fins de proteção do disjuntor primário dessa subestação deve ter uma relação nominal de

Dados:

Corrente primária dos TC’s disponíveis: 25 A, 30 A, 35 A e 40 A. Corrente máxima no secundário do TC: 5 A.

330 Q760305
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Fundação Getúlio Vargas (FGV)

A corrente elétrica de curto-circuito na entrada de uma subestação industrial de 10kV de tensão de entrada, é de 1,0 x 30,5 kA. Essa subestação possui um único transformador de 1,2 MVA. A reatância reduzida do sistema, em p.u., é igual a

Dados: Potência de base: metade da potência do transformador.

Tensão de base: igual à tensão de entrada da subestação.