461 Q760088
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Acerca de fundamentos de redes e comunicação de dados, julgue os itens que se seguem. Em uma rede de circuitos virtuais, os switches intermediários decidem para onde mandar os pacotes a partir da avaliação do endereço do destino final contido em tal pacote de dados.
462 Q760087
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
A respeito dos sistemas de unidades de medidas e de unidades fundamentais e derivadas, julgue os próximos itens. A unidade de diferença de potencial ou força eletromotriz é considerada uma grandeza derivada e pode ser expressa por W/A.
463 Q760086
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
A respeito dos sistemas de unidades de medidas e de unidades fundamentais e derivadas, julgue os próximos itens. De acordo com o SI, para se expressar corretamente a grandeza campo elétrico, que é uma grandeza derivada, deve-se utilizar a unidade V/m2 multiplicada pelo valor da permissividade absoluta do meio.
464 Q760085
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
A respeito dos sistemas de unidades de medidas e de unidades fundamentais e derivadas, julgue os próximos itens. Expressa-se o valor de uma grandeza multiplicando-se o valor num¨¦rico dessa grandeza por sua unidade.
465 Q760084
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação aos sistemas digitais, julgue os próximos itens. Em um flip-flop D, quando a entrada J = 0, K = 1.
466 Q760083
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Considere que, no circuito precedente, que representa uma fonte de alimentação não regulada, os componentes sejam componentes típicos para esse tipo de fonte. Considere também que o valor do capacitor seja de 2.000 microfarads, que RL=100 ohms e que a tensão RMS no secundário seja de 12 volts RMS.

Com relação a esse circuito, julgue os itens a seguir.

A tensão média sobre o resistor de carga RL é menor do que 12 volts.
467 Q760082
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

No circuito anterior, em que todos os componentes são considerados ideais, as transformadas de Laplace das tensões de entrada e de saída do circuito, vi(t) e vo(t), respectivamente, são dadas por Vi(s) e Vo(s). Acerca desse circuito, julgue os próximos itens.

468 Q760081
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Considere que todos os componentes do circuito precedente sejam ideais e que E1 = 10 V, E2 = 2 V, R1 = R2 = 4 kΩ, R 3 = R4 = 2 kΩ. Com relação a esse circuito, julgue os itens seguintes.

A corrente I2 é igual a 0,5 mA.
469 Q760080
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Considere que todos os componentes do circuito precedente sejam ideais e que E1 = 10 V, E2 = 2 V, R1 = R2 = 4 kΩ, R 3 = R4 = 2 kΩ. Com relação a esse circuito, julgue os itens seguintes.

470 Q760079
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.