1111 Q760086
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
A respeito dos sistemas de unidades de medidas e de unidades fundamentais e derivadas, julgue os próximos itens. De acordo com o SI, para se expressar corretamente a grandeza campo elétrico, que é uma grandeza derivada, deve-se utilizar a unidade V/m2 multiplicada pelo valor da permissividade absoluta do meio.
1112 Q760085
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
A respeito dos sistemas de unidades de medidas e de unidades fundamentais e derivadas, julgue os próximos itens. Expressa-se o valor de uma grandeza multiplicando-se o valor num¨¦rico dessa grandeza por sua unidade.
1113 Q760084
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação aos sistemas digitais, julgue os próximos itens. Em um flip-flop D, quando a entrada J = 0, K = 1.
1114 Q760083
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Considere que, no circuito precedente, que representa uma fonte de alimentação não regulada, os componentes sejam componentes típicos para esse tipo de fonte. Considere também que o valor do capacitor seja de 2.000 microfarads, que RL=100 ohms e que a tensão RMS no secundário seja de 12 volts RMS.

Com relação a esse circuito, julgue os itens a seguir.

A tensão média sobre o resistor de carga RL é menor do que 12 volts.
1115 Q760082
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

No circuito anterior, em que todos os componentes são considerados ideais, as transformadas de Laplace das tensões de entrada e de saída do circuito, vi(t) e vo(t), respectivamente, são dadas por Vi(s) e Vo(s). Acerca desse circuito, julgue os próximos itens.

1116 Q760081
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Considere que todos os componentes do circuito precedente sejam ideais e que E1 = 10 V, E2 = 2 V, R1 = R2 = 4 kΩ, R 3 = R4 = 2 kΩ. Com relação a esse circuito, julgue os itens seguintes.

A corrente I2 é igual a 0,5 mA.
1117 Q760080
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Considere que todos os componentes do circuito precedente sejam ideais e que E1 = 10 V, E2 = 2 V, R1 = R2 = 4 kΩ, R 3 = R4 = 2 kΩ. Com relação a esse circuito, julgue os itens seguintes.

1118 Q760079
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.
1119 Q760078
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.
1120 Q760077
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.