2641 Q760079
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.
2642 Q760078
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.
2643 Q760077
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.
2644 Q760076
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.
2645 Q760075
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.
2646 Q760074
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Para que transistores bipolares do tipo NPN operem na região ativa, é necessário que a junção entre o coletor e a base seja submetida à polarização reversa, e a junção entre base e emissor seja polarizada diretamente.
2647 Q760073
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue os itens que se seguem. Os dissipadores de calor para componentes eletrônicos devem ser fabricados com materiais de baixa condutividade térmica, para que haja maior dissipação do calor gerado durante a operação dos componentes a serem refrigerados.
2648 Q760071
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A partir do texto apresentado, julgue os itens a seguir.

Ao alterar a fonte de produção acústica do aparelho fonador, o sequestrador necessariamente alterava os pontos e modos de articulação das consoantes, uma vez que os parâmetros articulatórios do filtro dependem dos parâmetros da fonte na produção acústica.
2649 Q760070
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A partir do texto apresentado, julgue os itens a seguir.

2650 Q760069
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Julgue os próximos itens, relativos à telefonia celular. O GSM utiliza um esquema híbrido de múltiplo acesso, com base em FDMA e com espaçamento entre os canais de 200 kHz, que são acessados em TDMA. É possível ainda a adoção de salto em frequência do tipo SFH (slow frequency hopping).