I, II e V.

I, III e IV.

II e III.

III e V.

IV e V.

dois diodos Schottky.

um diodo Schottky e um diodo de junção de silício.

um diodo de silício e um de germânio.

dois diodos Schottky e um transistor PNP.

um diodo Schottky e um transistor NPN.

1,5 V.

3 V.

2 V.

3,5 V.

5 V.

Nos semicondutores existem dois tipos de portadores de cargas: lacunas e elétrons.

Um material semicondutor tipo N tem como portadores majoritários as lacunas.

Em uma junção PN de germânio, a barreira de potencial varia entre 0,2 e 0,3 V.

Um material semicondutor dopado com impurezas pentavalentes tem como portadores majoritários os elétrons.

Nos semicondutores, devido ao fenômeno térmico, pares elétron-lacunas são gerados permanentemente, mas desaparecem simultaneamente pelo processo da recombinação.

IV.

I, II e IV.

II e IV.

II e III.

I, II, IV e V.

I e II.

II e III.

II, III e IV.

I, III e IV.

I e IV.

external address e clock.

reset e enable address.

reset e clock.

reset e subrotina.

clock e enable data.

CLR e ACALL.

CLR e JNZ.

ADD e JNZ.

ADD e INC.

MOV e ORL.